Петров К.С. - Радиоматериалы, радиокомпоненты и электроника [2003, DjVu, RUS]

Предисловие
Введение
ГЛАВА 1. Электрофизические свойства радиоматериалов
1.1. Общие сведения о строении вещества
Структура электронных оболочек атомов
Химическая связь между атомами
Структура твердых тел
Основные понятия зонной теории
1.2. Электрофизические свойства проводниковых материалов
Основные положения классической электронной теории
Основные положения квантовой физики
Температурная зависимость электропроводности
Зависимость электропроводности от частоты
Электропроводность тонких пленок
Классификация проводниковых материалов
1.3. Электрофизические свойства диэлектрических материалов
Электронная поляризация
Дипольная поляризация
Ионная поляризация
Спонтанная поляризация
Зависимость диэлектрической проницаемости от температуры и частоты
Электропроводность диэлектриков
Диэлектрические потери
Электрическая прочность диэлектриков
Классификация диэлектрических материалов
1.4. Магнитные свойства радиоматериалов
Намагничивание ферромагнетиков
Магнитомягкие материалы
Магнитотвердые материалы
1.5. Электрофизические свойства полупроводниковых материалов
Собственные и примесные полупроводники
Расчет равновесной концентрации электронов и дырок в собственном полупроводнике
Расчет равновесной концентрации электронов и дырок в примесных полупроводниках
Неравновесное состояние полупроводника
Время жизни неравновесных носителей заряда
Распределение концентрации неравновесных носителей заряда
Токи в полупроводниках
Поверхностные явления
1.6. Контактные явления в радиоматериалах
Контактные явления в металлах
Электронно-дырочный переход
Вольт-амперная характеристика p-n-перехода
Контакт вырожденных полупроводников
Контакт полупроводника с металлом
Гетеропереходы
Контрольные вопросы
ГЛАВА 2. Пассивные компоненты радиоэлектронной аппаратуры
2.1. Резисторы
Классификация и конструкции резисторов
Параметры резисторов
Система обозначений и маркировка резисторов
Конструктивно-технологические разновидности резисторов
Специальные резисторы
2.2. Конденсаторы
Классификация и конструкции конденсаторов
Параметры конденсаторов
Система обозначений и маркировка конденсаторов
Основные разновидности конденсаторов
2.3. Катушки индуктивности
Физическая природа индуктивности
Конструкции катушек индуктивности
Индуктивность и собственная емкость катушек индуктивности
Потери в катушках индуктивности
Разновидности катушек индуктивности
2.4. Трансформаторы
Магнитопроводы трансформаторов
Физические основы функционирования трансформаторов
Потери в трансформаторах
Основные принципы расчета трансформаторов
Контрольные вопросы
ГЛАВА 3. Полупроводниковые диоды
3.1. Устройство полупроводниковых диодов
3.2. Вольт-амперная характеристика диода
Область прямых напряжений
Область обратных напряжений
Влияние температуры
3.3. Пробой диода
3.4. Дифференциальные параметры диода
3.5. Емкости диода
3.6. Выпрямительный режим работы полупроводниковых диодов
3.7. Импульсный режим работы полупроводниковых диодов
Процесс включения
Процесс выключения
3.8. Разновидности полупроводниковых диодов и их применение
Выпрямительные диоды
Высокочастотные диоды
Импульсные диоды
Стабилитроны
Варикапы
Туннельные диоды
Фотодиоды
Светоизлучающие диоды
Оптопары
Контрольные вопросы
ГЛАВА 4. Биполярные транзисторы и тиристоры
4.1. Устройство и принцип действия биполярного транзистора
Режимы работы
Схемы включения
Принцип действия
4.2. Соотношения между токами
4.3. Распределение концентрации носителей заряда и токов
4.4. Статические характеристики
Входные и управляющие характеристики
Выходные характеристики в схеме с общей базой
Выходные характеристики в схеме c общим эмиттером
Влияние температуры
Предельные режимы
4.5. Расчет токов транзистора
4.6. Дифференциальные параметры
Система h-параметров
Система y-параметров
4.7. Работа транзистора в усилительном режиме
Графический анализ усилительного режима
Аналитический расчет усилительных свойств
Физические эквивалентные схемы
4.8. Сравнение усилительных свойств транзистора в различных схемах включения
Схема с общим эмиттером
Схема с общей базой
Схема с общим коллектором
4.9. Частотные свойства транзистора
Схема с общей базой
Схема с общим эмиттером
Дрейфовые транзисторы
4.10. Работа транзистора в импульсном режиме
Процесс включения транзистора
Процесс выключения транзистора
Транзистор с диодом Шотки
4.11. Разновидности биполярных транзисторов
4.12. Тиристоры
Диодный тиристор
Триодный тиристор
Симметричный тиристор
Применение тиристоров
Контрольные вопросы
ГЛАВА 5. Полевые транзисторы
5.1. Полевые транзисторы с управляющим p-n-переходом
Устройство и принцип действия
Расчет напряжения отсечки и напряжения насыщения
Расчет тока через канал
Статические характеристики
Дифференциальные параметры
5.2. Полевые транзисторы с управляющим переходом металл—полупроводник
5.3. Полевые транзисторы с изолированным затвором
Устройство и принцип действия
Расчет порогового напряжения
Расчет тока через канал
Статические характеристики
Дифференциальные параметры
5.4. Усилительные и частотные свойства полевых транзисторов
5.5. Импульсный режим полевых транзисторов
Процесс включения транзистора
Процесс выключения транзистора
5.6. Приборы с зарядовой связью
Контрольные вопросы
ГЛАВА 6. Структуры и технология интегральных микросхем
6.1. Гибридные интегральные микросхемы
Пленочные резисторы
Пленочные конденсаторы
Распределенные RC-структуры
Пленочные индуктивности
Пленочные проводники и контактные площадки
Активные элементы ГИМС
6.2. Биполярные транзисторы полупроводниковых ИМС
Транзисторы типа n-p-n
Транзисторы с диодом Шотки
Многоэмиттерные транзисторы
Многоколлекторные транзисторы
Транзисторы типа p-n-p
Транзисторы с инжекционным питанием
Диодное включение биполярных транзисторов
6.3. Пассивные элементы ПП ИМС
Полупроводниковые резисторы
Полупроводниковые конденсаторы
6.4. МДП-транзисторы ПП ИМС
МДП-транзисторы с поликремниевым затвором
Комплементарные МДП-структуры
Структуры «кремний на диэлектрике»
Вертикальные структуры
Многослойные структуры
6.5. Базовые технологические операции
Эпитаксия
Легирование
Формирование диэлектрических пленок
Формирование проводящих пленок
Травление
Литография
6.6. Технология изготовления ИМС
Изготовление тонкопленочных гибридных ИМС
Изготовление толстопленочных гибридных ИМС
Эпитаксиально-планарная технология
EPIC-технология
Изопланарная технология
Технология изготовления МДП-транзисторов
Контрольные вопросы
ГЛАВА 7. Аналоговые интегральные микросхемы
7.1. Каскады с динамической нагрузкой
7.2. Составные транзисторы
7.3. Генераторы стабильного тока
7.4. Схемы сдвига потенциала
7.5. Каскодные схемы
7.6. Выходные каскады
7.7. Дифференциальные каскады
7.8. Операционные усилители
Параметры ОУ
Схемотехника ОУ
Применение ОУ
7.9. Разновидности АИМС
Контрольные вопросы
ГЛАВА 8. Цифровые интегральные микросхемы
8.1. Электронные ключи на биполярных транзисторах
Влияние внешней нагрузки на работу ключа
Передаточная характеристика
Помехоустойчивость ключа
Быстродействие ключа
8.2. Электронные ключи на полевых транзисторах
Ключ с резистивной нагрузкой
Ключи с динамической нагрузкой
8.3. Логические элементы интегральных микросхем
8.4. Диодно-транзисторная логика
8.5. Транзисторно-транзисторная логика
8.6. Эмиттерно-связанная логика
8.7. Логические элементы с инжекционным питанием
8.8. Логические элементы на МДП-транзисторах
Логические элементы на однотипных МДП-транзисторах
Логические элементы на комплементарных МДП-транзисторах
8.9. Функциональные логические узлы
Шифраторы
Дешифраторы
Сумматоры
8.10. Триггеры
RS-триггер
RST-триггер
D-триггер
Двухступенчатый RST-триггер
Т-триггер
JК-триггер
8.11. Запоминающие устройства
Масочные ПЗУ
Программируемые ПЗУ
Репрограммируемые ПЗУ
Элементы памяти ОЗУ статического типа
Элементы памяти динамического типа
Контрольные вопросы
ГЛАВА 9. Основы функциональной электроники
9.1. Проблемы повышения степени интеграции ИМС
9.2. Функциональная электроника
Акустоэлектронные устройства
Магнитоэлектронные устройства
Оптоэлектронные устройства
Устройства на основе эффекта Ганна
Контрольные вопросы
ГЛАВА 10. Вакуумная электроника
10.1. Вакуумные диоды
Электрическое поле в диоде
Околокатодный процесс
Анодные характеристики
10.2. Вакуумные триоды
Электрическое поле в триоде
Действующее напряжение
Токораспределение в триоде
Статические характеристики
10.3. Вакуумные тетроды и пентоды
10.4. Дифференциальные параметры
10.5. Применение электронных ламп
10.6. Особенности мощных электронных ламп
10.7. Особенности работы ламп на СВЧ
10.8. Пролетные клистроны
10.9. Отражательные клистроны
10.10. Лампы бегущей волны
10.11. Электронно-лучевые приборы
Электростатическая фокусировка луча
Электростатическое отклонение луча
Магнитная фокусировка луча
Магнитное отклонение луча
Экраны ЭЛП
Основные типы электронно-лучевых трубок
10.12. Газоразрядные приборы
Электрический разряд в газе
Типы газоразрядных приборов
Контрольные вопросы
ГЛАВА 11. Введение в квантовую электронику
11.1. Лазерное усиление
11.2. Генерация излучения
11.3. Основные разновидности лазеров
Твердотельные лазеры
Газовые лазеры
Полупроводниковые лазеры