Лукьянчикова Н.Б. - Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах [1990, DjVu, RUS]

Флуктуационные явления в полупроводниках и полупроводниковых приборах
Год выпуска: 1990
Автор: Лукьянчикова Н.Б.
Жанр: Полупроводники
Язык: Русский
Издательство: Радио и связь
ISBN: 5-256-00496-4
Формат: DjVu
Качество: Отсканированные страницы
Количество страниц: 296
Описание: Рассмотрены современные методы теоретического анализа флуктуационных явлений в полупроводниках. Приведены рекомендации по их применению при исследовании шумовых характеристик различных приборов: фоторезисторов, полевых и биполярных транзисторов, фото- и светоднодов, лавинно-пролетных диодов, транзисторных элементов микросхем и др.
Показано, какая информация о нешумовых характеристиках и параметрах полупроводниковых приборов и материалов, а также о механизмах протекающих в них физических процессов содержится в результатах флуктуационных исследований и как она расшифровывается.
Изложены методы шумовой спектроскопии уровней, а также методы экспериментального определения источников шума в электронных приборах.
Доп. информация: Для научных работников, специализирующихся в области физики полупроводников, полупроводниковых приборов, микросхем и приборов оптоэлектроники.
Из введения:
Флуктуационные процессы в полупроводниках и полупроводниковых приборах в течение долгого времени представлялись явлением негативным, поскольку шум часто служил помехой при проведении физических исследований и ограничивал чувствительность и стабильность работы полупроводниковых приборов. В такой ситуации изучение механизмов формирования шумовых характеристик носило утилитарный характер, и основной задачей было понять, какие процессы определяют уровень шума, чтобы найти эффективные способы его уменьшения. Однако эта задача оказалась весьма непростой, и ее решение потребовало проведения корректного анализа сложных физических ситуаций.
Так, было обнаружено, что не всякий способ снижения уровня шума приводит к повышению чувствительности. Это происходит потому, что характеристики источников шума тесно связаны с механизмами физических процессов, определяющих работу данного полупроводникового прибора, и параметрами полупроводникового материала, а также с особенностями структуры рассматриваемого прибора и условиями его работы, т. е. с теми же факторами, от которых зависит и уровень полезного сигнала. Было установлено, что процесс шумообразования очень чувствителен к особенностям реализующихся в данном полупроводниковом приборе физических ситуаций, которые в его нешумовых характеристиках проявляются гораздо слабее или вообще не проявляются.
По мере того как флуктуационные исследования расширялись и углублялись, становилось очевидным, что их результаты содержат ценнейшую информацию о механизмах различных физических процессов в полупроводниках и полупроводниковых структурах. Поэтому такие исследования открывают широкие возможности для изучения физической природы тех процессов, которые определяют не только шумовые, но и нешумовые параметры и характеристики полупроводниковых материалов и приборов.
Именно такой подход к роли и значению флуктуационных исследований наиболее полно отражает их актуальность для современной полупроводниковой электроники.